西安邮电大学学报

2020, v.25;No.146(05) 63-68

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无片外电容高稳定型LDO电路设计
Design of high stability LDO circuit without external capacitor

黄海生;叶小艳;李鑫;党成;

摘要(Abstract):

针对低压差线性稳压器(low-dropout regulator,LDO)环路稳定性差导致系统瞬态响应差,在负载电流改变时线性稳压器输出电压不稳定的问题,提出了一种基于瞬态增强技术的米勒补偿型无片外电容LDO电路。在LDO电路中瞬态增强缓冲模块与输出级的功率管栅端形成负反馈,在稳定功率管栅端电压的同时,减小整个环路的第二级等效阻抗,使极点分裂程度在经典米勒补偿技术的基础上有所增加,从而提高了LDO负载瞬态改变时的系统稳定性。采用台积电0.18 μm互补金属氧化物半导体工艺设计了电源电压为3.3 V输出电压为1.8 V的LDO。仿真结果表明,设计LDO的相位裕度大于72°,负载电流在100 ns内从1 mA跳变到200 mA时输出电压最大变化为0.045 mV,电源电压抑制比为-78 dB。

关键词(KeyWords): 瞬态响应;环路补偿;极点分裂;无片外电容

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金项目(61661049)

作者(Author): 黄海生;叶小艳;李鑫;党成;

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DOI: 10.13682/j.issn.2095-6533.2020.05.011

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