高性能25～30GHz 6位单片数控衰减器A high performance 25～30 GHz 6-bit MMIC digital attenuator
张博,赵晶,张晗,李金蕾
摘要(Abstract)：
采用0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款高性能25~30GHz 6位单片数控衰减器芯片。电路采用6个基本衰减单元级联结构,通过控制不同衰减位导通状态组合形成64个衰减状态,给出在衰减电阻上并联的衰减结构。仿真结果表明,所设计的数控衰减器具有0.5dB的衰减步进和31.5dB的最大衰减范围;插入损耗小于5.7dB,回波损耗优于-10dB;所有状态衰减精度小于+0.5dB,附加相移小于-6.0°,衰减幅度均方根误差小于0.21dB,芯片尺寸为2.0mm×1.0mm,可提高衰减精度。
关键词(KeyWords)： 数字衰减器;高精度;砷化镓;赝配高电子迁移率晶体管
基金项目(Foundation): 国家自然科学基金资助项目(61201044)
作者(Author): 张博,赵晶,张晗,李金蕾
DOI: 10.13682/j.issn.2095-6533.2016.02.012
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